安费诺凯杰

得益于双堆叠发射器技术和透明硅树脂封装，OSLON Black系列的SFH 4726AS实现小尺寸、高功率、高效率和优化的热管理，有效减小散热设计的压力；
　　 采用3.75×3.75mm的透明硅树脂封装，内置1mm2堆叠红外芯片，单颗光功率可达2W以上，为手持扫描仪这样小巧空间的应用提供更多光源设计空间。
安费诺凯杰　　Coherent I-temp 100G ZR QSFP28-DCO 收发器专为在边缘和接入网络中的户外街边机柜和抱杆安装部署场景而设计，非常适合需要支持更广泛运行温度范围的客户。这些收发器可以直接安装在已部署的具有 QSFP28 端口的接入网络设备上。例如，光线路终端（OLT）和中传及回传应用的汇聚交换机和路由器。
这是一款坚固耐用的工业计算机，用于处理各类机器和离散零件制造自动化应用程序。新的解决方案服务于需要坚固、紧凑、耐用的 IPC 的制造场所和 OEM 机器制造商，以经济高效的方式支持其工业物联网（IIoT）及其他数字化转型计划。

　　与传统产品相比，新款 ACT1210E-131-2P-TL00 滤波器将线间电容降低了约30%。在OPEN联盟共模扼流圈EMC测试规范中，该产品首开行业先河，以线间寄生电容达到了IV级水平。在100 kHz频率下的共模电感为130 H，额定电流达70 mA。
　　该器件将电子元件和传感器集成到一个标准的SO16 IC封装中。其中压阻元件配置为惠斯通电桥，电桥输出经放大后传送到模数转换级。然后，经16位数字信号处理器 (DSP) 进行温度补偿，并通过数模转换器提供模拟电压输出。模拟输出可以与现有标准传感器直接互操作，同时又保留了新型MEMS器件的优势。
安费诺凯杰　　美光 GDDR7 性能强劲，可使生成式 AI 工作负载6，如文本到图像的创建等的吞吐量提升高达 33%，同时缩短响应时间至多 20%。美光预计，相较于当前的 GDDR6 和 GDDR6X，搭载 GDDR7 的显卡在 1080p、1440p 和 4K 分辨率下，光线追踪和光栅化的每秒帧数（FPS）将提升超过 30%。
QSiC产品系列中新增了1700V SiC(碳化硅)肖特基分立二极管和双二极管模块。这一创新举措旨在满足包括开关电源(SMPS)、不间断电源(UPS)、电动汽车(EV)充电站在内的多种高要求应用场景在尺寸和功率上的严格标准。
这一全新产品组合将为电动摩托车、微型电动汽车和电动叉车等应用提供出色的性能。新 MOSFET产品的导通损耗和开关性能均有所改善，降低了电磁干扰（EMI）和开关损耗，有益于用于服务器、电信、储能系统（ESS）、音频、太阳能等用途的各种开关应用。此外，凭借宽安全工作区（SOA）和业界领先的RDS(on)，该产品系列非常适合电池管理系统等静态开关应用。全新推出的英飞凌OptiMOS? 6 200 V产品系列为客户提供更高的功率密度、效率和系统可靠性，树立了新的行业标准。

　　Power Integrations符合AEC-Q100标准的InnoSwitch3-AQ反激式开关IC产品系列包括额定耐压1700V的器件，其内部集成碳化硅(SiC)初级开关MOSFET，可使灵敏控制电路安全地从800V电池中取电。
安费诺凯杰SMART Modular世迈科技DRAM产品总监Arthur Sainio说明这款产品的重要性，「SMART推出具备表面涂层的DDR5 RDIMM内存模块，完美融合性能和卓越可靠性，专为下一代沉浸式液冷技术的数据中心所设计。
　　据IDC[i]预测，到2026年，有超过50%的商用SSD将采用QLC NAND闪存。基于此，深受市场信赖的高端存储品牌西部数据推出了此次强大的存储解决方案，旨在通过新一代QLC NAND技术为市场带来更高容量且更经济的SSD产品。凭借西部数据独特的垂直整合能力，新款西部数据PC SN5000S NVMe SSD进一步突破了技术的边界，实现了高性能、强大耐久性和高可靠性的结合，也为QLC技术树立了行业新标杆。
TMR4101磁栅传感器芯片与磁极距为0.4mm的多对极磁栅配套使用。当芯片沿着磁栅的长度方向移动时，其内置的两个推挽式TMR半桥结构分别输出相位差为90°的正弦和余弦信号，信号的周期与相邻的一对南北磁极的总长度0.8mm相对应。基于TMR技术优异的高灵敏度和低噪声特性，TMR4101的正弦和余弦输出信号可通过模拟前端调理电路和数字信号解算完成对微位移的精准测量，在典型应用场景中可达到微米级的重复定位精度。